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| 牌号 / 名称牌号↕名称↕ | 禁带宽度 Eg↕ | 导热系数 k↕ | 相对介电常数 εr↕ | 弹性模量 E↕ | 电阻率 ρe↕ | 密度 ρ↕ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Si-epi | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-epi-prime | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-intrinsic | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiC (4H) | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiC-4H | 3.26eVB典型值单晶态（PVT 生长） | 370W/(m·K)B典型值单晶态（PVT 生长） | 9.7B典型值单晶态（PVT 生长） | 410GPaB典型值单晶态（PVT 生长） | 1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态（PVT 生长） | 3.21g/cm³B典型值单晶态（PVT 生长） |
| SiC-6H | 3eVB典型值单晶态（PVT 生长） | 490W/(m·K)B典型值单晶态（PVT 生长） | 9.7B典型值单晶态（PVT 生长） | 410GPaB典型值单晶态（PVT 生长） | 1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态（PVT 生长） | 3.21g/cm³B典型值单晶态（PVT 生长） |
| SiC-epi | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiC-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiGe | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SnO2 | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| ZnO | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| ZnO-Single | 3.37eVB典型值单晶态（水热法） | 50W/(m·K)B典型值单晶态（水热法） | 8.5B典型值单晶态（水热法） | 140GPaB典型值单晶态（水热法） | 1×10¹⁰μΩ·cmB典型值单晶态（水热法） | 5.61g/cm³B典型值单晶态（水热法） |
| ZnS | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| sapphire-substrate | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| AlN-Single | — | 320W/(m·K)C典型值 | 8.5C典型值 | 350GPaC典型值 | 1×10²¹μΩ·cmC典型值 | 3.26g/cm³C典型值 |
| Bi2Te3 | — | 1.5W/(m·K)C典型值 | 50C典型值 | 45GPaC典型值 | 10000μΩ·cmC典型值 | 7.86g/cm³C典型值 |
| CdS | — | 16W/(m·K)C典型值 | 8.9C典型值 | 60GPaC典型值 | 1×10¹³μΩ·cmC典型值 | 4.82g/cm³C典型值 |
| Diamond-SCD | — | 2000W/(m·K)C典型值 | 5.7C典型值 | 1050GPaC典型值 | 1×10²¹μΩ·cmC典型值 | 3.51g/cm³C典型值 |
| Ga2O3 | — | 27W/(m·K)C典型值 | 10C典型值 | 230GPaC典型值 | 1×10¹⁹μΩ·cmC典型值 | 5.95g/cm³C典型值 |
| GaSb | — | 32W/(m·K)C典型值 | 15.7C典型值 | 60GPaC典型值 | 1×10⁶μΩ·cmC典型值 | 5.61g/cm³C典型值 |
| InAs | — | 27W/(m·K)C典型值 | 15.2C典型值 | 51GPaC典型值 | 100000μΩ·cmC典型值 | 5.67g/cm³C典型值 |
| InSb | — | 16W/(m·K)C典型值 | 17.7C典型值 | 30GPaC典型值 | 100000μΩ·cmC典型值 | 5.78g/cm³C典型值 |
| PbTe | — | 2.2W/(m·K)C典型值 | 30C典型值 | 60GPaC典型值 | 100000μΩ·cmC典型值 | 8.16g/cm³C典型值 |
| Si-EPI | — | 148W/(m·K)C典型值 | 11.7C典型值 | 150GPaC典型值 | 1×10⁹μΩ·cmC典型值 | 2.33g/cm³C典型值 |
| SiC-3C | — | 320W/(m·K)C典型值 | 9.7C典型值 | 440GPaC典型值 | 1×10¹⁰μΩ·cmC典型值 | 3.21g/cm³C典型值 |
| ZnSe | — | 18W/(m·K)C典型值 | 8.6C典型值 | 70GPaC典型值 | 1×10¹⁷μΩ·cmC典型值 | 5.27g/cm³C典型值 |
| AgInS2 | — | — | — | — | — | — |
| AlAs | — | — | — | — | — | — |
| AlSb | — | — | — | — | — | — |
| CdSe | — | — | — | — | — | — |
| CsPbBr3 | — | — | — | — | — | — |
| CsPbCl3 | — | — | — | — | — | — |
| CsPbI3 | — | — | — | — | — | — |
| CuFeS2 | — | — | — | — | — | — |
| CuInS2 | — | — | — | — | — | — |
| HgS | — | — | — | — | — | — |
| MgS | — | — | — | — | — | — |
| MgSe | — | — | — | — | — | — |
| MgTe | — | — | — | — | — | — |
| MnS | — | — | — | — | — | — |
| MnSe | — | — | — | — | — | — |
| ZnTe | — | — | — | — | — | — |
| SiC | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |