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ZnO

半导体材料
化合物半导体
数据完整度
68

半导体材料 ZnO。性能数值为同族代表牌号 Si-CZ-100 的族级沿用典型值 非本牌号实测或标准保证值 仅供选型估算。

英文名
ZnO
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相近牌号

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按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛

Si-CZ-100半导体材料弹性模量接近 · 密度接近Si半导体材料弹性模量接近 · 密度接近Ge半导体材料弹性模量接近 · 密度接近Si-intrinsic半导体材料弹性模量接近 · 密度接近Ge-intrinsic半导体材料弹性模量接近 · 密度接近GaAs半导体材料弹性模量接近 · 密度接近
怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数

关键性能速览

半导体以能带与热电参数选型，力学参数仅供封装应力分析参考
禁带宽度 Eg
1.12eVB单晶态（抛光片）
导热系数 λ
148W/(m·K)B单晶态（抛光片）
介电常数 εr
11.7B单晶态（抛光片）
弹性模量 E
130GPaB单晶态（抛光片） · 纵向 L
电阻率 ρv
5Ω·cmB单晶态（抛光片）
密度 ρ
2.33g/cm³B单晶态（抛光片）

热处理状态与交货状态

SC单晶态（抛光片）默认
工艺
晶圆化学机械抛光（CMP）
说明
状态参数族级沿用（Si-CZ-100 同口径）

力学性能

弹性模量 E130GPa
SC·20℃·纵向 L
130GPa典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行
泊松比 ν0.28
SC·20℃·纵向 L
0.28典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行

物理性能

密度 ρ2.33g/cm³
SC·20℃
2.33g/cm³典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行
禁带宽度 Eg1.12eV
SC·20℃
1.12eV典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行
相对介电常数 εr11.7
SC·20℃
11.7典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行

热性能

导热系数 k148W/(m·K)
SC·20℃
148W/(m·K)典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行
比热容 cp700J/(kg·K)
SC·20℃
700J/(kg·K)典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行
线膨胀系数 α2.6×10⁻⁶/K
SC·20~100℃·各向同性
2.6×10⁻⁶/K典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行

电性能

电阻率 ρe5Ω·cm
SC·20℃
5Ω·cm典型值B不建议用于设计SEMI-SZE#GEN
★ 族级沿用值：沿用 Si-CZ-100 的典型值 非本牌号实测/标准保证值 仅供选型估算
族级沿用 取自库内 Si-CZ-100 同源行

化学成分（熔炼分析）

含量单位为质量分数 %

元素最小 %最大 %典型 %类型置信备注
O——19.66%规定元素B化学计量组成 ZnO
Zn——80.34%规定元素B化学计量组成 ZnO

工艺适用性

「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。

共 6 项工艺适用5不宜1
晶体生长（提拉 / 坩埚下降 / 熔体法）烧结与固结适用
工艺参数
CZ 提拉（Si 1420℃、GaAs 1238℃）或导模法/热交换法（蓝宝石、Ga₂O₃）；生长速率 0.5~5 mm/h
预期效果
获得大尺寸单晶锭，位错密度与掺杂均匀性由生长工艺决定
限制
★ 化合物半导体的组元蒸气压差异大，须控制气氛与化学计量比，否则产生空位与反位缺陷
置信
D
外延生长成形适用
工艺参数
MOCVD/MBE 500~1100℃，生长速率 0.1~10 μm/h
预期效果
在衬底上生长高质量单晶薄层，形成器件有源区
限制
★ 外延温度与 V/III 比决定组分与掺杂，偏离即产生缺陷
置信
D
金刚石磨削切削加工适用
工艺参数
金刚石砂轮背面减薄至 50~200 μm
预期效果
减薄降低热阻与封装高度
限制
★ 减薄到 100 μm 以下时碎片风险陡增，须贴膜支撑
置信
D
激光划片切削加工适用
工艺参数
紫外/皮秒激光隐切或金刚石划片
预期效果
把晶圆分割成芯片，热影响区小、崩边 <10 μm
限制
★ 隐切要求材料对激光透明（SiC 需特定波长），不透明材料只能砂轮划片
置信
D
切削加工切削加工不宜
限制
★ 半导体脆性大且忌金属污染，不能车铣钻；只能用切、磨、抛与刻蚀
置信
D
晶圆化学机械抛光（CMP）切削加工适用
工艺参数
化学机械抛光：压力 2~5 psi、转速 50~100 rpm、SiO₂/Al₂O₃ slurry
预期效果
获得亚纳米级表面粗糙度与全局平坦度
限制
★ CMP 的平坦度决定光刻焦深余量，抛光液与压力匹配不当会产生碟形凹陷
置信
D

跨体系牌号对照

ZnO-Single氧化锌单晶仅供参考
依据
ZnO 为氧化锌 ZnO-Single 为其单晶形态
差异
单晶与多晶形态不同
置信
D
来源
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ZnO 半导体材料 ZnO — 性能、成分与工艺 · EngMatData