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命中 62 个材料(第 1–50 条)化合物半导体✕隐藏牌号总览(81)
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牌号 / 名称牌号↕名称↕禁带宽度 Eg↕导热系数 k↕相对介电常数 εr↕弹性模量 E↕电阻率 ρe↕密度 ρ↕
AlGaAs
半导体材料半导体材料 AlGaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlGaN
半导体材料半导体材料 AlGaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlGaN-UV
半导体材料半导体材料 AlGaN-UV
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlP
半导体材料半导体材料 AlP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
BN
半导体材料半导体材料 BN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
BP
半导体材料半导体材料 BP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
CdTe
半导体材料半导体材料 CdTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
CdTe-Single
半导体材料碲化镉单晶
1.5eVB典型值单晶态(THM/VGF)6.2W/(m·K)B典型值单晶态(THM/VGF)10.2B典型值单晶态(THM/VGF)52GPaB典型值单晶态(THM/VGF)1×10¹¹μΩ·cmB典型值单晶态(THM/VGF)6.2g/cm³B典型值单晶态(THM/VGF)
CdZnTe
半导体材料半导体材料 CdZnTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaAs
半导体材料半导体材料 GaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaAs-SI
半导体材料半绝缘砷化镓单晶
1.42eVB典型值单晶态(VGF/LEC)55W/(m·K)B典型值单晶态(VGF/LEC)12.9B典型值单晶态(VGF/LEC)85GPaB典型值单晶态(VGF/LEC)1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态(VGF/LEC)5.32g/cm³B典型值单晶态(VGF/LEC)
GaN
半导体材料半导体材料 GaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN-MOCVD
半导体材料氮化镓外延片(蓝宝石衬底)
3.4eVB典型值MOCVD 外延态130W/(m·K)B典型值MOCVD 外延态9.5B典型值MOCVD 外延态295GPaB典型值MOCVD 外延态1×10¹²μΩ·cmB典型值MOCVD 外延态6.15g/cm³B典型值MOCVD 外延态
GaN-bulk
半导体材料半导体材料 GaN-bulk
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaP
半导体材料半导体材料 GaP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaP-Single
半导体材料磷化镓单晶
2.26eVB典型值单晶态100W/(m·K)B典型值单晶态11.1B典型值单晶态88GPaB典型值单晶态1×10¹⁰μΩ·cmB典型值单晶态4.13g/cm³B典型值单晶态
HgCdTe
半导体材料半导体材料 HgCdTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
HgZnTe
半导体材料半导体材料 HgZnTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InAsP
半导体材料半导体材料 InAsP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaAs
半导体材料半导体材料 InGaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaN
半导体材料半导体材料 InGaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaP
半导体材料半导体材料 InGaP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InN
半导体材料半导体材料 InN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InP
半导体材料半导体材料 InP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InP-Single
半导体材料磷化铟单晶
1.34eVB典型值单晶态(VGF)68W/(m·K)B典型值单晶态(VGF)12.5B典型值单晶态(VGF)61GPaB典型值单晶态(VGF)1×10¹¹μΩ·cmB典型值单晶态(VGF)4.81g/cm³B典型值单晶态(VGF)
Mg2Si
半导体材料半导体材料 Mg2Si
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
PbS
半导体材料半导体材料 PbS
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
PbSe
半导体材料半导体材料 PbSe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
SiC-4H
半导体材料4H-SiC 单晶衬底
3.26eVB典型值单晶态(PVT 生长)370W/(m·K)B典型值单晶态(PVT 生长)9.7B典型值单晶态(PVT 生长)410GPaB典型值单晶态(PVT 生长)1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态(PVT 生长)3.21g/cm³B典型值单晶态(PVT 生长)
SiC-6H
半导体材料6H-SiC 单晶
3eVB典型值单晶态(PVT 生长)490W/(m·K)B典型值单晶态(PVT 生长)9.7B典型值单晶态(PVT 生长)410GPaB典型值单晶态(PVT 生长)1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态(PVT 生长)3.21g/cm³B典型值单晶态(PVT 生长)
SiGe
半导体材料半导体材料 SiGe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
SnO2
半导体材料半导体材料 SnO2
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
ZnO
半导体材料半导体材料 ZnO
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
ZnO-Single
半导体材料氧化锌单晶
3.37eVB典型值单晶态(水热法)50W/(m·K)B典型值单晶态(水热法)8.5B典型值单晶态(水热法)140GPaB典型值单晶态(水热法)1×10¹⁰μΩ·cmB典型值单晶态(水热法)5.61g/cm³B典型值单晶态(水热法)
ZnS
半导体材料半导体材料 ZnS
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlN-Single
半导体材料氮化铝单晶
—320W/(m·K)C典型值8.5C典型值350GPaC典型值1×10²¹μΩ·cmC典型值3.26g/cm³C典型值
Bi2Te3
半导体材料碲化铋
—1.5W/(m·K)C典型值50C典型值45GPaC典型值10000μΩ·cmC典型值7.86g/cm³C典型值
CdS
半导体材料硫化镉
—16W/(m·K)C典型值8.9C典型值60GPaC典型值1×10¹³μΩ·cmC典型值4.82g/cm³C典型值
Ga2O3
半导体材料氧化镓 β-Ga2O3
—27W/(m·K)C典型值10C典型值230GPaC典型值1×10¹⁹μΩ·cmC典型值5.95g/cm³C典型值
GaSb
半导体材料锑化镓
—32W/(m·K)C典型值15.7C典型值60GPaC典型值1×10⁶μΩ·cmC典型值5.61g/cm³C典型值
InAs
半导体材料砷化铟
—27W/(m·K)C典型值15.2C典型值51GPaC典型值100000μΩ·cmC典型值5.67g/cm³C典型值
InSb
半导体材料锑化铟
—16W/(m·K)C典型值17.7C典型值30GPaC典型值100000μΩ·cmC典型值5.78g/cm³C典型值
PbTe
半导体材料碲化铅
—2.2W/(m·K)C典型值30C典型值60GPaC典型值100000μΩ·cmC典型值8.16g/cm³C典型值
SiC-3C
半导体材料立方碳化硅 3C-SiC
—320W/(m·K)C典型值9.7C典型值440GPaC典型值1×10¹⁰μΩ·cmC典型值3.21g/cm³C典型值
ZnSe
半导体材料硒化锌
—18W/(m·K)C典型值8.6C典型值70GPaC典型值1×10¹⁷μΩ·cmC典型值5.27g/cm³C典型值
AgInS2
半导体材料硫化银铟
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AlAs
半导体材料砷化铝
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AlSb
半导体材料锑化铝
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CdSe
半导体材料硒化镉
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CsPbBr3
半导体材料溴铅酸铯钙钛矿
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