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BaTiO3

钛酸钡陶瓷
陶瓷与玻璃功能陶瓷功能陶瓷(介电 / 压电 / 磁性 / 透明)
数据完整度
71

典型铁电/高介电陶瓷,室温介电常数 1500~3000,居里点 120~130℃。是 MLCC(多层陶瓷电容)的介质主体,也可做 PTC 热敏电阻。

别名 / 旧代号BaTiO3MLCC介质钛酸钡
典型用途
MLCC 介质、PTC 热敏电阻、压电元件、铁电存储器
英文名
Barium titanate
GB/T 16534-2009

按已录入性能数据的属性指纹计算,仅供初筛

怎么读数值:≥ / ≤标准保证值,可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值,仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数

关键性能速览

陶瓷强度为弯曲试验统计值,需与威布尔模量一并看;带 ≥ / ≤ 的是标准保证值
介电常数 εr
2000B烧结态
电阻率 ρv
1×10¹²Ω·cmB烧结态
弹性模量 E
110GPaB烧结态
抗弯强度
100MPaB烧结态
导热系数 λ
2.5W/(m·K)B烧结态
密度 ρ
6g/cm³B烧结态

热处理状态与交货状态

S烧结态默认
工艺
常压烧结
说明
1300℃ 烧结;介电常数在居里点 120℃ 出现峰值

力学性能

弹性模量 E110GPa
S·20℃
110GPa典型值BASM-CERAM#GEN
泊松比 ν0.27
S·20℃
0.27典型值BASM-CERAM#GEN
硬度600HV
S·20℃
600HV典型值BASM-CERAM#GEN
HV1 或 HV0.5 压痕硬度
断裂韧性 KIC1MPa·m^0.5
S·20℃
1MPa·m^0.5典型值BASM-CERAM#GEN
SEPB 法或压痕法
抗压强度800MPa
S·20℃
800MPa典型值BASM-CERAM#GEN
威布尔模量 m6
S·20℃
6典型值BASM-CERAM#GEN
弯曲强度100MPa
S·20℃
100MPa典型值B不建议用于设计ASM-CERAM#GEN
四点弯曲典型值

物理性能

密度 ρ6g/cm³
S·20℃
6g/cm³典型值BASM-CERAM#GEN
开口气孔率1%
S·20℃
1%典型值BASM-CERAM#GEN
相对介电常数 εr2000
S·20℃
2000典型值BASM-CERAM#GEN
1 kHz 室温

热性能

导热系数 k2.5W/(m·K)
S·20℃
2.5W/(m·K)典型值BASM-CERAM#GEN
比热容 cp500J/(kg·K)
S·20℃
500J/(kg·K)典型值BASM-CERAM#GEN
线膨胀系数 α10×10⁻⁶/K
S·20~300℃
10×10⁻⁶/K典型值BASM-CERAM#GEN

电性能

电阻率 ρe1×10¹²Ω·cm
S·20℃
1×10¹²Ω·cm典型值BASM-CERAM#GEN

工艺适用性

「适用」= 常规设备即可做;「受限」= 能做但需附加条件;「不宜」= 技术上可行但不推荐;「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立,收起在下方。

共 7 项工艺适用3受限2不宜2
热等静压(HIP)烧结与固结适用
工艺参数
1000~2000℃ / 100~200 MPa 氩气
预期效果
消除残余气孔,强度与威布尔模量提升
限制
设备昂贵、周期长,仅用于高附加值件
置信
B
常压烧结烧结与固结适用
工艺参数
1500~2200℃ 常压烧结,保温 1~3 h
预期效果
致密化,气孔率降到 1~5%
限制
烧成收缩 15~20%,需留加工余量
置信
B
退火热处理受限
工艺参数
退火只能消除残余应力(低于烧结温度 100~200℃)
预期效果
降低残余应力,不改变组织
限制
温度过高会引起晶粒长大与强度下降
置信
C
电弧焊连接不宜
限制
共价键/离子键材料无塑性变形能力,焊接即开裂
置信
B
金刚石磨削切削加工适用
工艺参数
金刚石砂轮,磨削深度 1~10 μm/道次
预期效果
达到尺寸精度与表面粗糙度要求
限制
引入表面微裂纹,强度降低 20~40%;必须充分冷却
置信
B
激光划片切削加工受限
工艺参数
紫外纳秒/皮秒激光,切割道 20~50 μm
预期效果
无机械应力划片,崩边小
限制
厚件效率低,热影响区需评估
置信
C
切削加工切削加工不宜
限制
普通硬质合金刀具无法切削,须用金刚石磨削或激光
置信
B
告诉我们错在哪 —— 带上出处就能改
BaTiO3 钛酸钡陶瓷 — 性能、成分与工艺 · EngMatData