Ag
银（99.99%）
贵金属与贵金属合金纯贵金属纯贵金属（Au/Ag/Pt/Pd/Rh/Ir/Ru/Os）
数据完整度
68
银（99.99%）是金属中电阻率最低（1.59 µΩ·cm）、导热最高（429 W/(m·K)）的材料，大电流触点、射频导体、导热界面因此优先考虑银。缺点同样明确：含硫环境（H₂S、橡胶硫化剂、含硫包装）会生成 Ag₂S，接触电阻从毫欧升到欧姆级；硬度低（HV 约 25）、易电迁移长出枝晶造成短路。工程上用 AgNi、AgW、AgSnO₂ 等合金化解决，纯银只用于对导电/导热要求压倒一切且环境可控的场合。★ 纯银按纯度交货，不做拉伸验收。
别名 / 旧代号4N银Ag99.99白银纯银银
- 典型用途
- 电触头基材、射频与微波导体、导电银浆（太阳能电池/厚膜电路）、导热界面、镀银
- 英文名
- Silver (Ag 99.99)
相近牌号
按需求找更多 →按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛
怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数
关键性能速览
纯贵金属按纯度（99.95%~99.99%）交货，物理常数为手册值、力学数据不作验收依据；选材先看用途再看这几格——银最导电但会硫化发黑，金稳定但贵，铂耐高温但导热差- 电阻率 ρe
- 1.59μΩ·cmC退火态（供货态）
- 导热系数 k
- 429W/(m·K)C退火态（供货态）
- 熔点
- 961.78CC退火态（供货态）
- 密度 ρ
- 10.49g/cm³C退火态（供货态）
- 线膨胀系数 α
- 18.9×10⁻⁶/KC退火态（供货态）
- 弹性模量 E
- 82.7GPaC退火态（供货态）
热处理状态与交货状态
AR默认
说明
贵金属按纯度与加工硬化状态（退火/硬态）供货；本页物理常数为退火态室温值
力学性能
弹性模量 E82.7GPa
手册值；薄膜与蒸镀层的有效模量显著低于块体
室温拉伸弹性模量
泊松比 ν0.37
金 0.44 是金属中的高值，直接照搬钢的 0.30 会让接触应力算偏
室温泊松比
物理性能
密度 ρ10.49g/cm³
纯度每提高一个 9 密度变化 <0.1%，可忽略
室温密度（20℃）
热性能
导热系数 k429W/(m·K)
薄膜与细丝的导热低于块体，界面热阻往往才是瓶颈
室温导热系数（20℃）
比热容 cp235J/(kg·K)
20℃ 比热容
线膨胀系数 α18.9×10⁻⁶/K
封接匹配要与被封接件（玻璃/陶瓷/半导体）成对核算，单看绝对值无意义
20~100℃ 平均线膨胀系数
熔化温度范围961.78C
熔点
电性能
电阻率 ρe1.59μΩ·cm
纯度、退火态与晶粒尺寸都会影响；冷加工态电阻率可高 5~10%
20℃ 电阻率；IACS 导电率约 108.4%（以标准退火铜 1.7241 µΩ·cm 为 100%）
化学成分（熔炼分析）
含量单位为质量分数 %
| 元素 | 最小 % | 最大 % | 典型 % | 类型 | 置信 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ag | 99.99% | — | — | 规定元素 | C | 纯度下限（3N5~4N）；杂质总和 ≤0.01%，逐元素上限按供货证书 |
工艺适用性
「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。
共 8 项工艺适用7受限1
真空自耗电弧熔炼（VAR）适用
工艺参数
真空 ≤1 Pa 或高纯氩保护，熔炼温度高于熔点 100~200℃
预期效果
脱气、均匀化铸锭、避免氧化夹杂
限制
★ 银在高温高真空下蒸气压高会挥发损失；铁/铅/铋/锑 ppm 级即显著劣化导电与键合性能
置信
D
区域熔炼适用
工艺参数
多道次区域熔炼，真空或高纯惰性气氛，速率 1~10 mm/min
预期效果
把纯度提到 5N~6N，用于键合丝、靶材、热电偶丝
限制
★ 只对分凝系数有利的杂质有效；产能低、成本高，3N~4N 工业纯不必用
置信
D
冷成形（冷镦/冷挤压）适用
工艺参数
冷轧/冷拔，单道次加工率 10~30%，总加工率超 60~80% 须中间退火
预期效果
轧成箔带、拉成丝材、冲成触点
限制
★ 加工硬化快，不及时退火会开裂；模具用硬质合金或金刚石，避免铁污染
置信
D
退火适用
工艺参数
真空或高纯惰性气氛，200~600℃（视金属与加工率），保温后随炉冷
预期效果
消除加工应力、控制再结晶晶粒、恢复延性
限制
★ 金银在空气中退火也会吸附氧与硫，键合与镀层用材必须在真空或惰性气氛下退火
置信
D
钎焊适用
工艺参数
用银基（BAg）、金基（AuNi/AuGe）或钯基钎料，钎焊温度低于母材熔点 50~200℃
预期效果
连接贵金属与可伐合金/陶瓷/铜，接头导电导热好
限制
★ 含 Zn/Cd 的钎料蒸气压高，真空钎焊须选低蒸气压牌号；银钎料接头不宜用于含硫工况
置信
D
切削加工受限
工艺参数
锋利高速钢或硬质合金刀具、大前角、低速小进给，充分冷却
预期效果
车削、铣削贵金属零件与坩埚
限制
★ 软而粘，易粘刀；切屑与磨屑必须全部回收，材料成本远高于加工费
置信
D
电镀适用
工艺参数
镀金/镀银/镀铑/镀钯，镀层 0.05~5 μm；前处理须彻底除油与活化
预期效果
以低成本获得贵金属表面性能（接触电阻、抗变色、耐磨）
限制
★ 镀层孔隙率决定防护寿命；镀银在含硫环境会变色，镀铑耐磨抗变色最好但成本最高
置信
D
物理气相沉积（PVD）适用
工艺参数
蒸镀或磁控溅射，膜厚 10 nm~2 μm，基材温度按工艺 100~300℃
预期效果
在陶瓷/半导体/塑料上做导电层、装饰层与红外反射层
限制
★ 附着力取决于基材清洁度与打底层（Ti/Ni/Cr）；金膜软，耐磨场合须加硬层
置信
D
跨体系牌号对照
Ag9999大致相当
依据
Ag9999 为 99.99% 高纯银 属 Ag 家族牌号
差异
纯度高于一般工业银 导电导热性能一致
置信
D
来源
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