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| 牌号 / 名称牌号↕名称↕ | 禁带宽度 Eg↕ | 导热系数 k↕ | 相对介电常数 εr↕ | 弹性模量 E↕ | 电阻率 ρe↕ | 密度 ρ↕ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaAs-SI | 1.42eVB典型值单晶态（VGF/LEC） | 55W/(m·K)B典型值单晶态（VGF/LEC） | 12.9B典型值单晶态（VGF/LEC） | 85GPaB典型值单晶态（VGF/LEC） | 1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态（VGF/LEC） | 5.32g/cm³B典型值单晶态（VGF/LEC） |
| GaN-MOCVD | 3.4eVB典型值MOCVD 外延态 | 130W/(m·K)B典型值MOCVD 外延态 | 9.5B典型值MOCVD 外延态 | 295GPaB典型值MOCVD 外延态 | 1×10¹²μΩ·cmB典型值MOCVD 外延态 | 6.15g/cm³B典型值MOCVD 外延态 |
| GaP-Single | 2.26eVB典型值单晶态 | 100W/(m·K)B典型值单晶态 | 11.1B典型值单晶态 | 88GPaB典型值单晶态 | 1×10¹⁰μΩ·cmB典型值单晶态 | 4.13g/cm³B典型值单晶态 |
| Ge-Single | 0.66eVB典型值单晶态 | 58W/(m·K)B典型值单晶态 | 16B典型值单晶态 | 103GPaB典型值单晶态 | 5×10⁷μΩ·cmB典型值单晶态 | 5.32g/cm³B典型值单晶态 |
| InP-Single | 1.34eVB典型值单晶态（VGF） | 68W/(m·K)B典型值单晶态（VGF） | 12.5B典型值单晶态（VGF） | 61GPaB典型值单晶态（VGF） | 1×10¹¹μΩ·cmB典型值单晶态（VGF） | 4.81g/cm³B典型值单晶态（VGF） |
| Sapphire-Substrate | 8.8eVB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 35W/(m·K)B典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 9.4B典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 380GPaB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 1×10²²μΩ·cmB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 3.98g/cm³B典型值单晶态（KY 法/泡生法） |
| Si-CZ-100 | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-CZ-111 | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 187GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-HeavyDoped | 1.12eVB典型值单晶态（重掺） | 80W/(m·K)B典型值单晶态（重掺） | 11.7B典型值单晶态（重掺） | 130GPaB典型值单晶态（重掺） | 10000μΩ·cmB典型值单晶态（重掺） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（重掺） |
| Si-Poly | 1.12eVB典型值多晶铸锭切片 | 100W/(m·K)B典型值多晶铸锭切片 | 11.7B典型值多晶铸锭切片 | 160GPaB典型值多晶铸锭切片 | 1×10⁶μΩ·cmB典型值多晶铸锭切片 | 2.32g/cm³B典型值多晶铸锭切片 |
| SiC-4H | 3.26eVB典型值单晶态（PVT 生长） | 370W/(m·K)B典型值单晶态（PVT 生长） | 9.7B典型值单晶态（PVT 生长） | 410GPaB典型值单晶态（PVT 生长） | 1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态（PVT 生长） | 3.21g/cm³B典型值单晶态（PVT 生长） |
| SiC-6H | 3eVB典型值单晶态（PVT 生长） | 490W/(m·K)B典型值单晶态（PVT 生长） | 9.7B典型值单晶态（PVT 生长） | 410GPaB典型值单晶态（PVT 生长） | 1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态（PVT 生长） | 3.21g/cm³B典型值单晶态（PVT 生长） |