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命中 94 个材料(第 1–50 条)半导体材料✕隐藏牌号总览(81)
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牌号 / 名称牌号↕名称↕禁带宽度 Eg↕导热系数 k↕相对介电常数 εr↕弹性模量 E↕电阻率 ρe↕密度 ρ↕
6H-SiC
半导体材料碳化硅 (6H)
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlGaAs
半导体材料半导体材料 AlGaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlGaN
半导体材料半导体材料 AlGaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlGaN-UV
半导体材料半导体材料 AlGaN-UV
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
AlP
半导体材料半导体材料 AlP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
BN
半导体材料半导体材料 BN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
BP
半导体材料半导体材料 BP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
CdTe
半导体材料半导体材料 CdTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
CdTe-Single
半导体材料碲化镉单晶
1.5eVB典型值单晶态(THM/VGF)6.2W/(m·K)B典型值单晶态(THM/VGF)10.2B典型值单晶态(THM/VGF)52GPaB典型值单晶态(THM/VGF)1×10¹¹μΩ·cmB典型值单晶态(THM/VGF)6.2g/cm³B典型值单晶态(THM/VGF)
CdZnTe
半导体材料半导体材料 CdZnTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaAs
半导体材料半导体材料 GaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaAs-SI
半导体材料半绝缘砷化镓单晶
1.42eVB典型值单晶态(VGF/LEC)55W/(m·K)B典型值单晶态(VGF/LEC)12.9B典型值单晶态(VGF/LEC)85GPaB典型值单晶态(VGF/LEC)1×10¹³μΩ·cmB典型值单晶态(VGF/LEC)5.32g/cm³B典型值单晶态(VGF/LEC)
GaAs-wafer
半导体材料半导体材料 GaAs-wafer
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN
半导体材料半导体材料 GaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN-MOCVD
半导体材料氮化镓外延片(蓝宝石衬底)
3.4eVB典型值MOCVD 外延态130W/(m·K)B典型值MOCVD 外延态9.5B典型值MOCVD 外延态295GPaB典型值MOCVD 外延态1×10¹²μΩ·cmB典型值MOCVD 外延态6.15g/cm³B典型值MOCVD 外延态
GaN-bulk
半导体材料半导体材料 GaN-bulk
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN-bulk-sub
半导体材料半导体材料 GaN-bulk-sub
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN-on-Si
半导体材料半导体材料 GaN-on-Si
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaN-substrate
半导体材料半导体材料 GaN-substrate
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaP
半导体材料半导体材料 GaP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
GaP-Single
半导体材料磷化镓单晶
2.26eVB典型值单晶态100W/(m·K)B典型值单晶态11.1B典型值单晶态88GPaB典型值单晶态1×10¹⁰μΩ·cmB典型值单晶态4.13g/cm³B典型值单晶态
Ge
半导体材料半导体材料 Ge
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Ge-CZ
半导体材料半导体材料 Ge-CZ
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Ge-Single
半导体材料锗单晶
0.66eVB典型值单晶态58W/(m·K)B典型值单晶态16B典型值单晶态103GPaB典型值单晶态5×10⁷μΩ·cmB典型值单晶态5.32g/cm³B典型值单晶态
Ge-epi
半导体材料半导体材料 Ge-epi
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Ge-intrinsic
半导体材料半导体材料 Ge-intrinsic
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Ge-wafer
半导体材料半导体材料 Ge-wafer
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
HgCdTe
半导体材料半导体材料 HgCdTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
HgZnTe
半导体材料半导体材料 HgZnTe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InAsP
半导体材料半导体材料 InAsP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaAs
半导体材料半导体材料 InGaAs
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaN
半导体材料半导体材料 InGaN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InGaP
半导体材料半导体材料 InGaP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InN
半导体材料半导体材料 InN
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InP
半导体材料半导体材料 InP
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
InP-Single
半导体材料磷化铟单晶
1.34eVB典型值单晶态(VGF)68W/(m·K)B典型值单晶态(VGF)12.5B典型值单晶态(VGF)61GPaB典型值单晶态(VGF)1×10¹¹μΩ·cmB典型值单晶态(VGF)4.81g/cm³B典型值单晶态(VGF)
InP-wafer
半导体材料半导体材料 InP-wafer
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Mg2Si
半导体材料半导体材料 Mg2Si
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
PbS
半导体材料半导体材料 PbS
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
PbSe
半导体材料半导体材料 PbSe
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
SOI
半导体材料半导体材料 SOI
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Sapphire (Al2O3)
半导体材料蓝宝石(氧化铝晶体)
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Sapphire-Substrate
半导体材料蓝宝石衬底(c 面)
8.8eVB典型值单晶态(KY 法/泡生法)35W/(m·K)B典型值单晶态(KY 法/泡生法)9.4B典型值单晶态(KY 法/泡生法)380GPaB典型值单晶态(KY 法/泡生法)1×10²²μΩ·cmB典型值单晶态(KY 法/泡生法)3.98g/cm³B典型值单晶态(KY 法/泡生法)
Si
半导体材料半导体材料 Si
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-CZ
半导体材料半导体材料 Si-CZ
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-CZ-100
半导体材料直拉单晶硅([100],轻掺 n 型)
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-CZ-111
半导体材料直拉单晶硅([111])
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)187GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-FZ
半导体材料半导体材料 Si-FZ
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-HeavyDoped
半导体材料重掺 n+ 单晶硅
1.12eVB典型值单晶态(重掺)80W/(m·K)B典型值单晶态(重掺)11.7B典型值单晶态(重掺)130GPaB典型值单晶态(重掺)10000μΩ·cmB典型值单晶态(重掺)2.33g/cm³B典型值单晶态(重掺)
Si-Poly
半导体材料多晶硅(光伏级)
1.12eVB典型值多晶铸锭切片100W/(m·K)B典型值多晶铸锭切片11.7B典型值多晶铸锭切片160GPaB典型值多晶铸锭切片1×10⁶μΩ·cmB典型值多晶铸锭切片2.32g/cm³B典型值多晶铸锭切片
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