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| 牌号 / 名称牌号↕名称↕ | 禁带宽度 Eg↕ | 导热系数 k↕ | 相对介电常数 εr↕ | 弹性模量 E↕ | 电阻率 ρe↕ | 密度 ρ↕ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaAs-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| GaN-bulk-sub | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| GaN-on-Si | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| GaN-substrate | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Ge-epi | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Ge-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| InP-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SOI | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Sapphire-Substrate | 8.8eVB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 35W/(m·K)B典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 9.4B典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 380GPaB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 1×10²²μΩ·cmB典型值单晶态（KY 法/泡生法） | 3.98g/cm³B典型值单晶态（KY 法/泡生法） |
| Si-epi | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-epi-prime | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Si-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiC-epi | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| SiC-wafer | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| sapphire-substrate | 1.12eVB典型值单晶态（抛光片） | 148W/(m·K)B典型值单晶态（抛光片） | 11.7B典型值单晶态（抛光片） | 130GPaB典型值单晶态（抛光片） | 5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态（抛光片） | 2.33g/cm³B典型值单晶态（抛光片） |
| Diamond-SCD | — | 2000W/(m·K)C典型值 | 5.7C典型值 | 1050GPaC典型值 | 1×10²¹μΩ·cmC典型值 | 3.51g/cm³C典型值 |
| Si-EPI | — | 148W/(m·K)C典型值 | 11.7C典型值 | 150GPaC典型值 | 1×10⁹μΩ·cmC典型值 | 2.33g/cm³C典型值 |