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牌号 / 名称牌号↕名称↕禁带宽度 Eg↕导热系数 k↕相对介电常数 εr↕弹性模量 E↕电阻率 ρe↕密度 ρ↕
Ge-Single
半导体材料锗单晶
0.66eVB典型值单晶态58W/(m·K)B典型值单晶态16B典型值单晶态103GPaB典型值单晶态5×10⁷μΩ·cmB典型值单晶态5.32g/cm³B典型值单晶态
Si-CZ-100
半导体材料直拉单晶硅([100],轻掺 n 型)
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)130GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-CZ-111
半导体材料直拉单晶硅([111])
1.12eVB典型值单晶态(抛光片)148W/(m·K)B典型值单晶态(抛光片)11.7B典型值单晶态(抛光片)187GPaB典型值单晶态(抛光片)5×10⁶μΩ·cmB典型值单晶态(抛光片)2.33g/cm³B典型值单晶态(抛光片)
Si-HeavyDoped
半导体材料重掺 n+ 单晶硅
1.12eVB典型值单晶态(重掺)80W/(m·K)B典型值单晶态(重掺)11.7B典型值单晶态(重掺)130GPaB典型值单晶态(重掺)10000μΩ·cmB典型值单晶态(重掺)2.33g/cm³B典型值单晶态(重掺)
Si-Poly
半导体材料多晶硅(光伏级)
1.12eVB典型值多晶铸锭切片100W/(m·K)B典型值多晶铸锭切片11.7B典型值多晶铸锭切片160GPaB典型值多晶铸锭切片1×10⁶μΩ·cmB典型值多晶铸锭切片2.32g/cm³B典型值多晶铸锭切片
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