SiC-RB
反应烧结碳化硅
陶瓷与玻璃非氧化物结构陶瓷非氧化物结构陶瓷（碳化物 / 氮化物 / 硼化物）
数据完整度
71
液硅浸渗多孔碳坯体，硅与碳反应生成 SiC 并填充孔隙，近净成形、成本低、可做大尺寸复杂件。含 8~15% 游离硅，高温强度与耐蚀性低于无压烧结 SiC。
别名 / 旧代号RBSiCSiSiC渗硅碳化硅
- 典型用途
- 大尺寸密封环、泵壳、防弹装甲、窑具、机械密封
- 英文名
- Reaction bonded silicon carbide (RBSiC)
GB/T 6569-2006
相近牌号
按需求找更多 →按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛
怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数
关键性能速览
陶瓷强度为弯曲试验统计值，需与威布尔模量一并看；带 ≥ / ≤ 的是标准保证值- 抗弯强度
- 350MPaB反应烧结态
- 抗压强度
- 2000MPaB反应烧结态
- 弹性模量 E
- 350GPaB反应烧结态
- 断裂韧性 KIC
- 4.5MPa·m^0.5B反应烧结态
- 开口气孔率
- 0.5%B反应烧结态
- 密度 ρ
- 3.05g/cm³B反应烧结态
热处理状态与交货状态
S默认
工艺
常压烧结
说明
1600~1700℃ 液硅浸渗，游离 Si 8~15%
力学性能
弹性模量 E350GPa
泊松比 ν0.17
硬度2200HV
HV1 或 HV0.5 压痕硬度
断裂韧性 KIC4.5MPa·m^0.5
SEPB 法或压痕法
抗压强度2000MPa
威布尔模量 m8
弯曲强度350MPa
四点弯曲典型值
物理性能
密度 ρ3.05g/cm³
开口气孔率0.5%
热性能
导热系数 k100W/(m·K)
比热容 cp750J/(kg·K)
线膨胀系数 α4.3×10⁻⁶/K
电性能
电阻率 ρe1×10⁶Ω·cm
工艺适用性
「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。
共 7 项工艺适用3受限2不宜2
热等静压（HIP）适用
工艺参数
1000~2000℃ / 100~200 MPa 氩气
预期效果
消除残余气孔，强度与威布尔模量提升
限制
设备昂贵、周期长，仅用于高附加值件
置信
B
常压烧结适用
工艺参数
1500~2200℃ 常压烧结，保温 1~3 h
预期效果
致密化，气孔率降到 1~5%
限制
烧成收缩 15~20%，需留加工余量
置信
B
退火受限
工艺参数
退火只能消除残余应力（低于烧结温度 100~200℃）
预期效果
降低残余应力，不改变组织
限制
温度过高会引起晶粒长大与强度下降
置信
C
电弧焊不宜
限制
共价键/离子键材料无塑性变形能力，焊接即开裂
置信
B
金刚石磨削适用
工艺参数
金刚石砂轮，磨削深度 1~10 μm/道次
预期效果
达到尺寸精度与表面粗糙度要求
限制
引入表面微裂纹，强度降低 20~40%；必须充分冷却
置信
B
激光划片受限
工艺参数
紫外纳秒/皮秒激光，切割道 20~50 μm
预期效果
无机械应力划片，崩边小
限制
厚件效率低，热影响区需评估
置信
C
切削加工不宜
限制
普通硬质合金刀具无法切削，须用金刚石磨削或激光
置信
B
告诉我们错在哪 —— 带上出处就能改