Ru
钌(99.95%)
贵金属与贵金属合金纯贵金属纯贵金属(Au/Ag/Pt/Pd/Rh/Ir/Ru/Os)
数据完整度
76
钌(99.95%)熔点 2334℃、弹性模量 447 GPa,硬度高、耐磨与抗电弧侵蚀能力好,常用作电接触与耐磨镀层、厚膜电阻浆料(RuO₂ 系)。它是铂族中价格相对低的成员,工程上常用来部分替代铑或铱降本。★ 块体钌脆,实际多以镀层、粉末或合金形式使用;纯钌按纯度交货,力学值为手册值。
别名 / 旧代号Ru99.95钌
- 典型用途
- 电接触与耐磨镀层、厚膜电阻浆料、化工催化、电子浆料、硬质合金粘结相改性
- 英文名
- Ruthenium
相近牌号
按需求找更多 →按已录入性能数据的属性指纹计算,仅供初筛
怎么读数值:≥ / ≤标准保证值,可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值,仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数
关键性能速览
纯贵金属按纯度(99.95%~99.99%)交货,物理常数为手册值、力学数据不作验收依据;选材先看用途再看这几格——银最导电但会硫化发黑,金稳定但贵,铂耐高温但导热差- 电阻率 ρe
- 7.1μΩ·cmC
- 导热系数 k
- 117W/(m·K)C
- 熔点
- 2334CC
- 密度 ρ
- 12.45g/cm³C
- 线膨胀系数 α
- 6.4×10⁻⁶/KC
- 弹性模量 E
- 447GPaC
热处理状态与交货状态
ANN
工艺
退火
力学性能
弹性模量 E447GPa
室温弹性模量;原值 447 GPa 已按 CRC/Cardarelli 修正
室温弹性模量
泊松比 ν0.26
工程通用假设值
屈服强度 Re200MPa
屈服强度 Rp0.2(退火态典型值)
抗拉强度 Rm550MPa
退火态抗拉强度(典型值)
断后伸长率 A15%
断后伸长率(退火态典型值)
硬度216HV
维氏硬度(退火态典型值)
物理性能
密度 ρ12.45g/cm³
室温密度(CRC/ASM)
热性能
导热系数 k117W/(m·K)
室温导热系数
线膨胀系数 α6.4×10⁻⁶/K
20~100℃ 平均线膨胀系数
熔化温度范围2334C
熔点
电性能
电阻率 ρe7.1μΩ·cm
电阻率(20℃)
化学成分(熔炼分析)
含量单位为质量分数 %
| 元素 | 最小 % | 最大 % | 典型 % | 类型 | 置信 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ru | — | 99.95% | — | 规定元素 | C | 纯钌,典型纯度 |
工艺适用性
「适用」= 常规设备即可做;「受限」= 能做但需附加条件;「不宜」= 技术上可行但不推荐;「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立,收起在下方。
共 8 项工艺适用7受限1
真空自耗电弧熔炼(VAR)适用
工艺参数
真空 ≤1 Pa 或高纯氩保护,熔炼温度高于熔点 100~200℃
预期效果
脱气、均匀化铸锭、避免氧化夹杂
限制
★ 银在高温高真空下蒸气压高会挥发损失;铁/铅/铋/锑 ppm 级即显著劣化导电与键合性能
置信
D
区域熔炼适用
工艺参数
多道次区域熔炼,真空或高纯惰性气氛,速率 1~10 mm/min
预期效果
把纯度提到 5N~6N,用于键合丝、靶材、热电偶丝
限制
★ 只对分凝系数有利的杂质有效;产能低、成本高,3N~4N 工业纯不必用
置信
D
冷成形(冷镦/冷挤压)适用
工艺参数
冷轧/冷拔,单道次加工率 10~30%,总加工率超 60~80% 须中间退火
预期效果
轧成箔带、拉成丝材、冲成触点
限制
★ 加工硬化快,不及时退火会开裂;模具用硬质合金或金刚石,避免铁污染
置信
D
退火适用
工艺参数
真空或高纯惰性气氛,700~1200℃(视金属与再结晶温度),保温后随炉冷
预期效果
消除加工应力、控制再结晶晶粒、恢复延性
限制
★ 金银在空气中退火也会吸附氧与硫,键合与镀层用材必须在真空或惰性气氛下退火
置信
D
钎焊适用
工艺参数
用银基(BAg)、金基(AuNi/AuGe)或钯基钎料,钎焊温度低于母材熔点 50~200℃
预期效果
连接贵金属与可伐合金/陶瓷/铜,接头导电导热好
限制
★ 含 Zn/Cd 的钎料蒸气压高,真空钎焊须选低蒸气压牌号;银钎料接头不宜用于含硫工况
置信
D
切削加工受限
工艺参数
锋利高速钢或硬质合金刀具、大前角、低速小进给,充分冷却
预期效果
车削、铣削贵金属零件与坩埚
限制
★ 软而粘,易粘刀;切屑与磨屑必须全部回收,材料成本远高于加工费
置信
D
电镀适用
工艺参数
镀金/镀银/镀铑/镀钯,镀层 0.05~5 μm;前处理须彻底除油与活化
预期效果
以低成本获得贵金属表面性能(接触电阻、抗变色、耐磨)
限制
★ 镀层孔隙率决定防护寿命;镀银在含硫环境会变色,镀铑耐磨抗变色最好但成本最高
置信
D
物理气相沉积(PVD)适用
工艺参数
蒸镀或磁控溅射,膜厚 10 nm~2 μm,基材温度按工艺 100~300℃
预期效果
在陶瓷/半导体/塑料上做导电层、装饰层与红外反射层
限制
★ 附着力取决于基材清洁度与打底层(Ti/Ni/Cr);金膜软,耐磨场合须加硬层
置信
D
告诉我们错在哪 —— 带上出处就能改