Rh

铑（99.95%）

贵金属与贵金属合金纯贵金属纯贵金属（Au/Ag/Pt/Pd/Rh/Ir/Ru/Os）

数据完整度

铑（99.95%）熔点 1964℃、弹性模量 379 GPa，硬度与耐磨性居铂族前列，反射率高且抗变色，高档镜面镀层与车灯反射杯用它；工业上最大的用途是汽车三元催化与硝酸生产的铂铑催化网。铂铑合金（PtRh10、PtRh30）是 S 型与 B 型热电偶的正极，高温漂移率是所有常用偶材中最低的。★ 弹性模量取 379 GPa：CRC 表给 275 GPa 并自注「可能不正确」，而 379 与剪切模量 147 GPa、泊松比 0.26 自洽。纯铑按纯度交货，力学值为退火态手册值。

别名 / 旧代号Rh99.95铑

典型用途: 汽车三元催化、铂铑催化网、镜面与首饰镀层、PtRh 高温热电偶、电接触
英文名: Rhodium

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按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛

Mo-10W钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%Mo-20W钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%Mo-50W钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%MoRe50钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%MoCu15钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%MoCu25钼及钼合金导热系数低 12% · 密度低 18%

怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数

关键性能速览

纯贵金属按纯度（99.95%~99.99%）交货，物理常数为手册值、力学数据不作验收依据；选材先看用途再看这几格——银最导电但会硫化发黑，金稳定但贵，铂耐高温但导热差

电阻率 ρe: 4.51μΩ·cmC
导热系数 k: 150W/(m·K)C
熔点: 1964CC
密度 ρ: 12.41g/cm³C
线膨胀系数 α: 8.2×10⁻⁶/KC
弹性模量 E: 379GPaC

热处理状态与交货状态

ANN退火态（再结晶退火）

工艺

退火

力学性能

弹性模量 E379GPa

20℃

379GPa典型值CAISI-HB#GEN

室温弹性模量；原值 379 GPa 已按 CRC/Cardarelli 修正

室温弹性模量

泊松比 ν0.26

20℃

0.26通用假设D不建议用于设计AISI-HB#GEN

工程通用假设值

屈服强度 Re120MPa

20℃

120MPa典型值CAISI-HB#GEN

屈服强度 Rp0.2（退火态典型值）

抗拉强度 Rm470MPa

20℃

470MPa典型值CAISI-HB#GEN

退火态抗拉强度（典型值）

断后伸长率 A30%

20℃·标距 A50

30%典型值CAISI-HB#GEN

断后伸长率（退火态典型值）

硬度130HV

20℃

130HV典型值CAISI-HB#GEN

维氏硬度（退火态典型值）

物理性能

密度 ρ12.41g/cm³

20℃

12.41g/cm³典型值CAISI-HB#GEN

室温密度（CRC/ASM）

热性能

导热系数 k150W/(m·K)

20℃

150W/(m·K)典型值CAISI-HB#GEN

室温导热系数

线膨胀系数 α8.2×10⁻⁶/K

20~100℃

8.2×10⁻⁶/K典型值CAISI-HB#GEN

20~100℃ 平均线膨胀系数

熔化温度范围1964C

20℃

1964C典型值CAISI-HB#GEN

熔点

电性能

电阻率 ρe4.51μΩ·cm

20℃

4.51μΩ·cm典型值CAISI-HB#GEN

电阻率（20℃）

化学成分（熔炼分析）

含量单位为质量分数 %

元素	最小 %	最大 %	典型 %	类型	置信	备注
Rh	—	99.95%	—	规定元素	C	纯铑，典型纯度

工艺适用性

「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。

共 8 项工艺适用7受限1

真空自耗电弧熔炼（VAR）烧结与固结适用

工艺参数

真空 ≤1 Pa 或高纯氩保护，熔炼温度高于熔点 100~200℃

预期效果

脱气、均匀化铸锭、避免氧化夹杂

限制

★ 银在高温高真空下蒸气压高会挥发损失；铁/铅/铋/锑 ppm 级即显著劣化导电与键合性能

置信

区域熔炼烧结与固结适用

工艺参数

多道次区域熔炼，真空或高纯惰性气氛，速率 1~10 mm/min

预期效果

把纯度提到 5N~6N，用于键合丝、靶材、热电偶丝

限制

★ 只对分凝系数有利的杂质有效；产能低、成本高，3N~4N 工业纯不必用

置信

冷成形（冷镦/冷挤压）成形适用

工艺参数

冷轧/冷拔，单道次加工率 10~30%，总加工率超 60~80% 须中间退火

预期效果

轧成箔带、拉成丝材、冲成触点

限制

★ 加工硬化快，不及时退火会开裂；模具用硬质合金或金刚石，避免铁污染

置信

退火热处理适用

工艺参数

真空或高纯惰性气氛，700~1200℃（视金属与再结晶温度），保温后随炉冷

预期效果

消除加工应力、控制再结晶晶粒、恢复延性

限制

★ 金银在空气中退火也会吸附氧与硫，键合与镀层用材必须在真空或惰性气氛下退火

置信

钎焊连接适用

工艺参数

用银基（BAg）、金基（AuNi/AuGe）或钯基钎料，钎焊温度低于母材熔点 50~200℃

预期效果

连接贵金属与可伐合金/陶瓷/铜，接头导电导热好

限制

★ 含 Zn/Cd 的钎料蒸气压高，真空钎焊须选低蒸气压牌号；银钎料接头不宜用于含硫工况

置信

切削加工切削加工受限

工艺参数

锋利高速钢或硬质合金刀具、大前角、低速小进给，充分冷却

预期效果

车削、铣削贵金属零件与坩埚

限制

★ 软而粘，易粘刀；切屑与磨屑必须全部回收，材料成本远高于加工费

置信

电镀表面处理适用

工艺参数

镀金/镀银/镀铑/镀钯，镀层 0.05~5 μm；前处理须彻底除油与活化

预期效果

以低成本获得贵金属表面性能（接触电阻、抗变色、耐磨）

限制

★ 镀层孔隙率决定防护寿命；镀银在含硫环境会变色，镀铑耐磨抗变色最好但成本最高

置信

物理气相沉积（PVD）表面处理适用

工艺参数

蒸镀或磁控溅射，膜厚 10 nm~2 μm，基材温度按工艺 100~300℃

预期效果

在陶瓷/半导体/塑料上做导电层、装饰层与红外反射层

限制

★ 附着力取决于基材清洁度与打底层（Ti/Ni/Cr）；金膜软，耐磨场合须加硬层

置信

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