HP-Graphite
高纯石墨（半导体级）
碳材料石墨制品
数据完整度
65
总灰分 <20 ppm 的高纯石墨，经卤素气体提纯至 <5 ppm。用于硅单晶生长热场、外延基座与离子注入件——微量金属杂质会直接污染晶圆。
别名 / 旧代号半导体石墨高纯石墨
- 典型用途
- 硅单晶炉热场、外延基座、离子注入部件、真空炉发热体
- 英文名
- High purity graphite
相近牌号
按需求找更多 →按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛
怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数
关键性能速览
碳材料同族内形态差异极大（石墨 / 纤维 / 金刚石），速览按子族切换指标- 抗压强度
- 110MPaB提纯石墨化态
- 抗折强度
- 60MPaB提纯石墨化态
- 电阻率 ρv
- 1200μΩ·cmB提纯石墨化态
- 导热系数 λ
- 120W/(m·K)B提纯石墨化态
- 密度 ρ
- 1.78g/cm³B提纯石墨化态
- 弹性模量 E
- 10GPaB提纯石墨化态
热处理状态与交货状态
G默认
工艺
常压烧结
说明
2500℃ 石墨化后 2000℃ 卤素提纯
力学性能
弹性模量 E10GPa
泊松比 ν0.15
断裂韧性 KIC1MPa·m^0.5
抗压强度110MPa
弯曲强度60MPa
三点弯曲
物理性能
密度 ρ1.78g/cm³
热性能
导热系数 k120W/(m·K)
线膨胀系数 α4.5×10⁻⁶/K
电性能
电阻率 ρe1200μΩ·cm
化学成分（熔炼分析）
含量单位为质量分数 %
| 元素 | 最小 % | 最大 % | 典型 % | 类型 | 置信 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C | — | — | 1% | 规定元素 | A | 单质碳 |
工艺适用性
「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。
共 8 项工艺适用4受限3不宜1
化学气相沉积（CVD）适用
工艺参数
1000~1500℃ 烃类气体热解
预期效果
沉积致密热解碳或金刚石层
限制
沉积速率低（5~20 μm/h），成本高
置信
B
热等静压（HIP）受限
工艺参数
冷等静压成型（100~200 MPa）后焙烧浸渍
预期效果
各向同性、可做大尺寸细颗粒制品
限制
★ 等静压石墨的各向同性来自成型而非热压，热等静压对石墨意义不大
置信
D
热压烧结适用
工艺参数
2000~2500℃ / 20~40 MPa
预期效果
提高密度与各向同性度
限制
模具损耗大，仅适合板/块件
置信
C
常压烧结适用
工艺参数
石墨化 2500~3000℃，保温 1~2 h
预期效果
提高晶体完善度、降低电阻率
限制
温度越高导热与导电越好，但强度略降
置信
B
退火受限
工艺参数
惰性或真空 1500~2000℃ 保温
预期效果
去除残余应力、提高石墨化度
限制
一般制品不做退火，焙烧与石墨化已包含热处理
置信
D
电弧焊不宜
限制
碳材料无熔点（升华）且不润湿金属，无法熔焊
置信
B
金刚石磨削适用
工艺参数
金刚石砂轮，低速小切深
预期效果
石墨与金刚石唯一可用的精加工方式
限制
石墨易崩边，需锋利磨具与吸尘
置信
B
切削加工受限
工艺参数
普通硬质合金刀具可切削石墨（非金刚石）
预期效果
石墨可直接车铣钻，加工性好
限制
金刚石与玻璃碳硬度高，普通刀具无效；石墨粉尘导电需防爆除尘
置信
B
告诉我们错在哪 —— 带上出处就能改