Ga
金属镓
稀有与难熔金属稀散金属稀散金属（Ga/In/Se/Te）
数据完整度
65
镓熔点仅 29.8℃，可在手心熔化；GaN/GaAs 是第三代半导体的基石，液态镓也用于替代汞的温度计与热界面
- 典型用途
- GaN/GaAs 衬底与外延、液态金属热界面、太阳能 CIGS
- 英文名
- Gallium
相近牌号
按需求找更多 →按已录入性能数据的属性指纹计算，仅供初筛
怎么读数值：≥ / ≤标准保证值，可当验收依据典型值手册 / 厂商常见值，仅供参考置信度 A–FA 已核原文 · D 手册值 · F 公认常数
关键性能速览
稀土与稀散金属按纯度分级，物理常数为手册值；力学数据不作验收依据- 熔点
- 29.8CB
- 密度 ρ
- 5.91g/cm³B
- 弹性模量 E
- 9.8GPaB
- 导热系数 k
- 40.6W/(m·K)B
- 线膨胀系数 α
- 18.4×10⁻⁶/KB
- 电阻率 ρe
- 27μΩ·cmB
热处理状态与交货状态
AS-SUPPLIED默认
说明
稀土/稀散金属按纯度（99.9%~99.99%）供货，力学性能不作验收指标
声学性能
声速 c1288m/s
计算值：细杆纵波声速，与体波（纵波/横波）不同，超声检测应查体波声速
由 E 与 ρ 按 c=√(E/ρ) 计算（细长杆纵波）
力学性能
弹性模量 E9.8GPa
多晶试样；单晶弹性常数各向异性显著
室温弹性模量
泊松比 ν0.31
室温泊松比
物理性能
密度 ρ5.91g/cm³
室温密度
热性能
导热系数 k40.6W/(m·K)
室温导热系数
比热容 cp371J/(kg·K)
室温比热容
线膨胀系数 α18.4×10⁻⁶/K
稀土与稀散金属的 CTE 各向异性极大（Gd、Dy、Ga 尤甚），多晶平均值仅供参考
20~100℃ 平均线膨胀系数
熔化温度范围29.8C
熔点（纯元素为定值）
电性能
电阻率 ρe27μΩ·cm
纯度每提高一个 9，电阻率明显下降
室温电阻率
工艺适用性
「适用」= 常规设备即可做；「受限」= 能做但需附加条件；「不宜」= 技术上可行但不推荐；「不涉及」= 该工艺对本类材料不成立，收起在下方。
共 2 项工艺受限2
退火受限
工艺参数
真空退火 600~900℃，保温后随炉冷
预期效果
消除加工应力、均匀组织
限制
★ 稀土蒸气压较高，高温真空退火会造成元素挥发损失
置信
D
切削加工受限
工艺参数
硬质合金刀具、低速小进给；须在惰性气氛或油下加工
预期效果
稀土金属软而粘，可车削成靶材与块体
限制
★ 化学活性极强：新鲜切面在空气中迅速氧化，水中放出氢气，须油封或惰性保护
置信
D
告诉我们错在哪 —— 带上出处就能改