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相近牌号SIC-3C

按已录入性能数据的属性指纹计算,只在同一量纲内比较

  • SiC-4H4H-SiC 单晶衬底半导体材料弹性模量接近 · 导热系数高 16% · 密度接近
  • AlN-Single氮化铝单晶半导体材料弹性模量低 20% · 密度接近 · 导热系数接近
  • BeO-Ceramic氧化铍陶瓷陶瓷与玻璃弹性模量低 27% · 密度低 10% · 导热系数低 22%
  • SiC-6H6H-SiC 单晶半导体材料导热系数高 53% · 弹性模量接近 · 密度接近
  • Diamond-SCD半导体级单晶金刚石半导体材料导热系数高 525% · 弹性模量高 139% · 密度高 9%
  • AlN氮化铝陶瓷陶瓷与玻璃导热系数低 47% · 弹性模量低 30% · 密度接近
  • SCD单晶金刚石(CVD)碳材料导热系数高 525% · 弹性模量高 139% · 密度高 9%
  • CVD-DiamondCVD 金刚石膜碳材料导热系数高 463% · 弹性模量高 139% · 密度高 10%
  • PCD聚晶金刚石(PCD)碳材料导热系数高 56% · 弹性模量高 105% · 密度高 28%
  • SiC-HP热压碳化硅陶瓷与玻璃导热系数低 59% · 密度接近 · 弹性模量接近
  • SiC-SS无压烧结碳化硅陶瓷与玻璃导热系数低 63% · 弹性模量接近 · 密度接近
  • GaN-MOCVD氮化镓外延片(蓝宝石衬底)半导体材料导热系数低 59% · 密度高 92% · 弹性模量低 33%

用途词只是检索线索,不构成性能判定;展示数值来自择优取值并附来源编号

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